
Квантроны серии DP-QCW
Общее описание
Квантрон с поперечной диодной накачкой для импульсных лазеров. Импульсная мощность накачки – до 8000 Вт, длительность импульса накачки – до 500 мкс, частота следования импульсов – до 100 Гц. Ак-тивный элемент – Nd:YAG, ∅5 мм. Ключевые особенности: В качестве источников накачки используются матрицы лазерных диодов СЛМ-2 производства ОАО «НПП «Инжект» (г. Саратов, Россия). Возможность применения различных типов активных элементов (Nd:YAG, Nd:YLF, Nd:YAP и др.). Охлаждение активного элемента и источников накачки – жидкостное. Отсутствие жестких требований к температурной стабилизации источников накачки и к качеству охлаждающей жидкости. Допустимый диапазон рабочих температур – более 10 °С. Высокая эффективность поглощения излучения накачки (более 85 %). АО «ЛЛС» предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку.
Применение
- Импульсные твердотельные лазеры и лазерные усилители.
