10 Гб/с чипы серии PD10x1

Общее описание

Высокоскоростные чипы InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи и интегрированной линзой с обратной стороны. Эти фотодиоды со входом света снизу через линзу разработаны для одномодовой передачи данных в длинноволновом диапазоне для цифровых телекоммуникаций до 10-12 Гбит/с. Они имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм, а широкополосное просветляющее покрытие обеспечивает низкие потери на отражение. Фотодиоды иеют низкую ёмкость и достигают полной скорости при низких напряжениях смещения. Находящаяся на задней стороне линза фокусирует входящее излучение на фотодиод, находящийся в верхней части, что облегчает соединение с оптическим волокном. Компания Albis предлагает передовые технологии производства InGaAs/GaAs/InP фотодиодов как ключевого элемента в сборках TO-can, TOSA, PLC и других приемных оптических модулях. Используя свой более чем 20-летний опыт работы, специалисты компании Albis предлагают современные, надежные и высококачественные фотодиоды для передачи как цифровой, так и аналоговой информации. Ключевые особенности PD10K1: InGaAs фотодиод со входом света снизу через интегрированную линзу Чувствительность 0.6 A/Вт @ 850 нм Низкая ёмкость: < 240 фФ Низкий темновой ток < 1 нА Ключевые особенности PD10X1: InGaAs фотодиод со входом света снизу через интегрированную линзу Чувствительность 0,9 А/Вт Низкая ёмкость: 120 фФ Диаметр линзы 100 мкм Низкое напряжение смещения: 1,5 В Ключевые особенности PD10W1: Оптимизация под соеднение как с одномодовым так и с многомодовым волокном Чувствительность 0,9 А/Вт Низкая ёмкость 180 фФ Низкий темновой ток 3 нА Ключевые особенности PD10G1: Большая апертура Чувствительность 0,9 А/Вт при 1310 нм Низкая ёмкость 260 фФ Низкий темновой ток 3 нА Специальные просветляющие покрытия Ключевые особенности PD10F1: Большая апертура Чувствительность 0,9 А/Вт Низкая ёмкость 220 фФ Низкий темновой ток 2 нА Упрощенное соединение с волокном Ключевые особенности PD10Kx: Линейка из 4-х чипов Спектральный диапазон 830 - 860 нм Большая апертура Расстояние между фотодиодами 250 мкм Чувствительность 0.6 A/Вт @ 850 нм Низкая ёмкость 230 фФ Низкий темновой ток < 1 нА Ключевые особенности PD10I4: Линейка из 4-х чипов Спектральный диапазон 850 нм и 1310 нм Большая апертура Расстояние между фотодиодами 250 мкм Чувствительность 0.9 A/Вт @ 1310 нм Низкая ёмкость 260 фФ Низкий темновой ток 3 нА AR покрытия Ключевые особенности PS05F1: Чип на подложке Фотодиод InGaAs со скоростью 10 Гбит/с с верхней подсветкой Большая оптическая апертура: 60 мкм Высокая чувствительность: 0,9 A / Вт Разные способы монтажа АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Albis Optoelectronics на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.