12 Гб/с чипы серии PD10x1

Общее описание

Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки и большой апертурой для облегчения соединения с оптическим волокном. Эти фотодиоды со входом света сверху разработаны для одномодовой передачи данных в длинноволновом диапазоне для цифровых телекоммуникаций до 12.7 Гбит/с. Они имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм, а широкополосное просветляющее покрытие обеспечивает низкие потери на отражение. Фотодиоды имеют низкую ёмкость и достигают полной скорости при низких напряжениях смещения. Компания Albis предлагает передовые технологии производства InGaAs/GaAs/InP фотодиодов как ключевого элемента в сборках TO-can, TOSA, PLC и других приемных оптических модулях. Используя свой более чем 20-летний опыт работы, специалисты компании Albis предлагают современные, надежные и высококачественные фотодиоды для передачи как цифровой, так и аналоговой информации. Ключевые особенности PD10E1: Большая апертура Чувствительность 0,95 А/Вт Низкая ёмкость 120 фФ Низкий темновой ток 2 нА Большие контактные площадки, подходит как для проволочного монтажа, так и для монтажа лицевой поверхностью к подложке Ключевые особенности PD10B1: Высокая скорость Чувствительность 0,95 А/Вт Низкая ёмкость 130 фФ Низкий темновой ток 2 нА Упрощенное соединение с волокном PD10MA - 12-канальная матрица фотодиодов со скоростью передачи 12 Гбит / с с сужающимися копланарными линиями передачи и большими оптическими апертурами, позволяющими легко подключаться к одномодовым волокнам. Промежуток между фотодиодами 250 мкм - подходит для подключения к стандартным волоконным кабелям. Структуры фотодиодов с верхней подсветкой оптимизированы для длинноволновых, приложений связи и передачи данных, микроволновых фотонных и радиочастотных сигналов по оптоволоконным каналам, а также для тестовых и измерительных приложений. Матрица фотодиодов обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Ключевые особенности PD10MA: Высокое затухание перекрестных помех 25 дБ между соседними каналами Шаг меду фотодиодами: 250 мкм Высокая чувствительность: 0,8 А / Вт Низкая емкость: 150 фФ Низкий темновой ток: 2 нА PD10Vx - Масштабируемая матрица фотодиодов 4 x 12 Гбит/с с отдельными анодными и катодными площадками для каждого канала. Масштабируемая матрица 1 x 4 спроектирована таким образом, что шаг фотодиода 250 мкм сохраняется на границе базовой ячейки 1 x 4. Шаг фотодиода 250 мкм подходит для подключения к волоконным кабелям. Базовая ячейка может быть повторена n раз, чтобы обеспечить масштабируемые массивы из 4, 8, 12 или более отдельных каналов фотодиодов. Верхние светящиеся контактные фотодиодные структуры оптимизированы для длинноволновых, приложений связи и передачи данных, микроволновых фотонных и радиочастотных сигналов по оптоволоконным каналам, а также для тестовых и измерительных приложений и предлагают отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Матрица фотодиодов доступна с металлизацией контактных площадок, оптимизированной для соединения проводов или пайки флип-чипом. Ключевые особенности PD10Vx: Масштабируемая матрица фотодиодов 4 x 12 Гбит / с с верхней подсветкой Высокое затухание перекрестных помех 25 дБ между соседними каналами Шаг фотодиода: 250 мкм Высокая чувствительность: 0,8 А / Вт Низкая емкость: 140 фФ Низкий темновой ток: 2 нА АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Albis Optoelectronics на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.