14 Гб/с чипы серии PD10x1

Общее описание

PD10A1 - Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с топологией двойной контактной площадки и большой апертурой для облегчения соединения с оптическим волокном. Эти фотодиоды со входом света сверху разработаны для одномодовой передачи данных в длинноволновом диапазоне для цифровых телекоммуникаций до 14 Гбит/с. Они имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм. Компания Albis предлагает передовые технологии производства InGaAs/GaAs/InP фотодиодов как ключевого элемента в сборках TO-can, TOSA, PLC и других приемных оптических модулях. Используя свой более чем 20-летний опыт работы, специалисты компании Albis предлагают современные, надежные и высококачественные фотодиоды для передачи как цифровой, так и аналоговой информации. Ключевые особенности: Высокая скорость Чувствительность 0,9 А/Вт Низкая ёмкость менее 100 фФ Низкий темновой ток 2 нА Упрощенное соединение с волокном PD10Y1 - это сверхмалый фотодиод на основе GaAs для приложений со скоростью 14 Гбит / с с большой оптической апертурой, позволяющий легко подключаться к многомодовым волокнам. Структура фотодиода с верхней подсветкой оптимизирована для высокоскоростных параллельных оптических межсоединений на основе VCSEL с коротким радиусом действия 850 нм до 14 Гбит / с и обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 830 до 860 нм. Компоновка контактной площадки G-S-G позволяет легко и напрямую приклеить ее к любой компоновке TIA. Кроме того, сверхмалый размер микросхемы экономит ценное пространство в небольших корпусах, таких как TO-46. Ключевые особенности: Большая оптическая апертура: 60 мкм Высокая чувствительность: 0,6 A / Вт при 850 нм Низкая емкость: 210 фФ Низкий темновой ток: 0,1 нА Конфигурация колодки G-S-G Экономичный, сверхмалый размер микросхемы PD10Yx - это ультрамаленькая, коротковолновая матрица фотодиодов на основе GaAs с оптической апертурой 60 мкм, позволяющая легко подключаться к многомодовым волокнам. Масштабируемая микросхема с одним фотодиодом предназначена для формирования многоканальной матрицы с шагом 250 мкм между отдельными каналами. Структура фотодиода с верхней подсветкой обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 830 до 860 нм. Массивы оптимизированы для высокоскоростных параллельных оптических межсоединений на основе VCSEL с коротким радиусом действия 850 нм со скоростью до 14 Гбит / с на канал. Шаг фотодиода 250 мкм подходит для подключения к волоконным ленточным кабелям. Ключевые особенности: Большая оптическая апертура: 60 мкм Шаг фотодиода: 250 мкм Высокая чувствительность: 0,6 A / Вт при 850 нм Низкий темновой ток: 0,1 нА Высокое затухание перекрестных помех Экономичный, сверхмалый размер микросхемы АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Albis Optoelectronics на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.