28 Гб/с чипы серии PD20xx

Общее описание

Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи и большой апертурой для облегчения соединения с оптическим волокном. Эти фотодиоды со входом света сверху разработаны для одномодовой передачи данных в длинноволновом диапазоне для цифровых телекоммуникация, микроволновой фотоники и передачи ВЧ/СВЧ сигналов по оптоволокну. Они имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм, а широкополосное просветляющее покрытие обеспечивает низкие потери на отражение. Фотодиоды иеют низкую ёмкость и достигают полной скорости при низких напряжениях смещения. Компания Albis предлагает передовые технологии производства InGaAs/GaAs/InP фотодиодов как ключевого элемента в сборках TO-can, TOSA, PLC и других приемных оптических модулях. Используя свой более чем 20-летний опыт работы, специалисты компании Albis предлагают современные, надежные и высококачественные фотодиоды для передачи как цифровой, так и аналоговой информации. Ключевые особенности PD20D1: Оптимизация под одномодовую передачу данных в длинноволновом диапазоне Чувствительность 0,8 А/Вт Низкая ёмкость менее 100 фФ Конфигурация G-S-G с большой контактной площадкой 80 мкм Упрощенное соединение с волокном Ключевые особенности PD20X1: InGaAs фотодиод со входом света снизу через интегрированную линзу Чувствительность 0,85 А/Вт Низкая ёмкость 100 фФ Низкое напряжение смещения 1,5 В Диаметр линзы 100 мкм Ключевые особенности PD20C1: Высокая скорость Чувствительность 0,8 А/Вт Низкая ёмкость менее 100 фФ Низкий темновой ток 5 нА Упрощенное соединение с волокном PD20E2 - Двойной массив сверхбыстрых фотодиодов InGaAs / InP с отдельными анодными и катодными площадками в схеме заземлениr-сигнал-сигнал-заземлениt. Каждый канал оптимизирован для скорости передачи данных 28 Гбит / с и выше. Шаг 250 мкм между отдельными фотодиодами обеспечивает очень компактную конструкцию чипа. Ключевые особенности PD20E2: Отдельные анодные и катодные площадки в конфигурации G-S-S-G Большие катодные площадки с местом для двух проводных соединений Высокая чувствительность: 0,8 А / Вт Низкое напряжение смещения: 2 В PD20G2 - Двойной массив сверхбыстрых фотодиодов InGaAs / InP с отдельными анодными и катодными площадками в схеме заземления-сигнала-сигнала-заземления. Каждый канал оптимизирован для скорости передачи данных 28 Гбит / с. Шаг 381 мкм между отдельными фотодиодами является обычным шагом волновода. Ключевые особенности PD20G2: Подсвечиваемый снизу фотодиод InGaAs со скоростью 28 Гбит / с со встроенной задней линзой Отдельные анодные и катодные площадки в конфигурации G-S-S-G Большие катодные площадки с местом для двух проводных соединений Высокая чувствительность: 0,85 А / Вт Низкое напряжение смещения: 2 В PD20W4 - 4-канальная матрица фотодиодов со скоростью 28 Гбит / с, оснащенная коническими копланарными линиями передачи в схеме G-S-G. Большие оптические апертуры и шаг фотодиодов 250 мкм делают устройство идеальным для подключения к волоконным кабелям. Компоновка чипа оптимизирована для обеспечения максимальных расстояний между электрическими контактными площадками при одновременном обеспечении высокого затухания перекрестных помех между соседними каналами. Структуры фотодиодов с верхней подсветкой оптимизированы для длинноволновых параллельных оптических соединений с высокой пропускной способностью, микроволновых фотонных и ВЧ-сигналов по оптоволоконным каналам, а также для тестовых и измерительных приложений. Матрица фотодиодов обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Ключевые особенности PD20W4: Матрица фотодиодов InGaAs 4 x 28 Гбит / с с подсветкой сверху Высокое затухание перекрестных помех 25 дБ между соседними каналами Конфигурация G-S-G для каждого канала Шаг фотодиода: 250 мкм Высокая чувствительность: 0,8 А / Вт Низкая емкость: <100 фФ PD20Vx - Масштабируемая матрица фотодиодов 4 x 28 Гбит / с с отдельными анодными и катодными площадками для каждого канала. Матрица 1 x 4 спроектирована таким образом, что шаг фотодиода 250 мкм сохраняется на границе базовой ячейки 1 x 4. Шаг фотодиода 250 мкм подходит для подключения к волоконным кабелям. Базовая ячейка может быть повторена n раз, чтобы получить масштабируемые массивы из 4, 8, 12 или более индивидуальных фотодиодных каналов. Структуры фотодиодов с верхней подсветкой оптимизированы для длинноволновых параллельных оптических соединений с высокой пропускной способностью, микроволновых фотонных и ВЧ-сигналов по оптоволоконным каналам, а также для тестовых и измерительных приложений. Матрица фотодиодов обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Ключевые особенности PD20Vx: Масштабируемая матрица фотодиодов 4 x 28 Гбит / с с верхней подсветкой Высокое затухание перекрестных помех 25 дБ между соседними каналами Шаг фотодиода: 250 мкм Высокая чувствительность: 0,8 А / Вт Низкая емкость: 100 фФ PD20DA - 12-канальная матрица фотодиодов со скоростью 28 Гбит / с с сужающимися копланарными линиями передачи и большими оптическими апертурами, позволяющими легко подключаться к одномодовым волокнам. Шаг фотодиода 250 мкм подходит для подключения к стандартным волоконным кабелям. Структуры фотодиодов с верхней подсветкой оптимизированы для длинноволновых параллельных оптических соединений с высокой пропускной способностью, микроволновых фотонных и ВЧ-сигналов по оптоволоконным каналам, а также для тестовых и измерительных приложений. Матрица фотодиодов обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Ключевые особенности PD20DA: Матрица фотодиодов InGaAs 12 x 28 Гбит / с с подсветкой сверху Высокое затухание перекрестных помех 25 дБ между соседними каналами Шаг фотодиода: 250 мкм Высокая чувствительность: 0,8 А / Вт Низкая емкость: 100 фФ PS20X1 представляет собой сборку флип-чип (скорость 28 Гбит / с), припаянный на металлизированный керамический носитель с копланарным расположением контактов. Структура фотодиода InGaAs с нижней подсветкой и встроенной задней линзой оптимизирована для приложений передачи данных и телекоммуникаций со скоростью до 28 Гбит / с и обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Фотодиод имеет низкую емкость и достигает полной скорости при низких напряжениях смещения. Интегрированная задняя линза фокусирует падающий световой луч на верхней зоне обнаружения, обеспечивая простую и эффективную оптическую связь. Ключевые особенности PS20X1: Легкое оптическое соединение благодаря встроенной задней линзе Большой диаметр линзы: 100 мкм Высокая чувствительность: 0,85 А / Вт Флип-чип припаян на керамической подложке PS20Xn представляет собой сборку из нескольких фотодиодных чипов PD20X1 flip-chip, припаянных на металлизированный керамический носитель с компланарным расположением контактов. Все фотодиоды позиционируются с высокой точностью в отношении характеристик юстировки, чтобы гарантировать совмещение от кристалла к кристаллу с точностью ± 10 мкм. PD20X1 - это высокоскоростной фотодиодный чип InGaAs / InP со встроенной задней линзой. Структура фотодиода p-i-n с нижней подсветкой оптимизирована для приложений передачи данных и телекоммуникаций со скоростью до 28 Гбит / с и обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Фотодиод имеет низкую емкость и достигает полной скорости при низких напряжениях смещения. Интегрированная задняя линза фокусирует падающий световой луч на верхней зоне обнаружения, обеспечивая простую и эффективную оптическую связь. Ключевые особенности PS20Xn: Многоканальное размещение с высокой точностью Легкое оптическое соединение благодаря встроенной задней линзе Большой диаметр линзы: 100 мкм Высокая чувствительность: 0,85 А / Вт Флип-чип припаян на керамический носитель АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Albis Optoelectronics на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.