32 Гб/с чип PD20B1

Общее описание

Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T". Эти фотодиоды со входом света сверху разработаны для одномодовой передачи данных в длинноволновом диапазоне для цифровых телекоммуникация, микроволновой фотоники и передачи ВЧ/СВЧ сигналов по оптоволокну. Они имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм. Компания Albis предлагает передовые технологии производства InGaAs/GaAs/InP фотодиодов как ключевого элемента в сборках TO-can, TOSA, PLC и других приемных оптических модулях. Используя свой более чем 20-летний опыт работы, специалисты компании Albis предлагают современные, надежные и высококачественные фотодиоды для передачи как цифровой, так и аналоговой информации. Ключевые особенности: Высокая скорость Чувствительность 0,6 А/Вт при 1310 нм Низкий темновой ток 5 нА АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Albis Optoelectronics на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.