40 Гб/с чипы серии PD40x1

Общее описание

PD40B1 - Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в форме "T". Эти фотодиоды со входом света сверху разработаны для одномодовой передачи данных до 43 Гбит/с и имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм. Ключевые особенности PD40B1: Высокая скорость Чувствительность 0,6 А/Вт при 1310 нм Низкая ёмкость 70 пФ Низкий темновой ток 2 нА Компактный размер чипа PD40A1 - Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с конфигурацией контактной площадки в виде конической копланарной линии передачи. Эти фотодиоды со входом света сверху разработаны для одномодовой передачи данных до 43 Гбит/с и имеют превосходную чувствительность во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм. Ключевые особенности PD40A1: Высокая скорость Чувствительность 0,6 А/Вт при 1310 нм Низкая ёмкость 70 пФ Низкий темновой ток 2нА Компактный размер чипа PD40D1 - Высокоскоростной чип фотодиода InGaAs/InP с G-S-G конфигурацией контактной площадки для простого прямого соединения с транимпедансным усилителем. Эти фотодиоды со входом света сверху разработаны для одномодовой передачи данных до 56 Гбод, а их чувствительность оптимизирована для длины в районе 1310 нм. Во всем рабочем диапазоне от 1260 до 1620 нм широкополосное просветляющее покрытие обеспечивает низкие потери на отражение. Ключевые особенности PD40D1 : Высокая скорость Чувствительность 0,6 А/Вт при 1310 нм Низкая ёмкость 70 пФ Конфигурация G-S-G с большой контактной площадкой 80 мкм Компактный размер чипа PD40C1 - Сверхскоростной фотодиодный чип InGaAs / InP, оптимизированный для 56 Гбод PAM-4 (400GBASE-DR4 и 400G-FR4), одномодовых телекоммуникационных и микроволновых фотонных линий, RF по оптоволокну, а также приложений для тестирования и измерения. Он предлагает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн около 1310 нм. Во всем диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм широкополосное просветляющее покрытие обеспечивает низкую отражательную способность и высокие возвратные потери. Ключевые особенности PD40C1: Сверхвысокая скорость Типичная полоса пропускания: 38 ГГц Типичная чувствительность: 0,8 A / Вт при 1310 нм Конфигурация подушечки G-S-G с подушечкой большого диаметра 80 мкм Экономичный, небольшой размер микросхемы PD40E1 - Сверхбыстрый фотодиодный чип InGaAs / InP, оптимизированный для приложений до 50 ГГц. Фотодиод с нижней подсветкой обеспечивает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Широкополосное просветляющее покрытие во всем диапазоне длин волн обеспечивает низкую отражательную способность и высокие возвратные потери. Ключевые особенности PD40E1: Сверхвысокая скорость Легкое оптическое соединение через большую зону входа света с задней стороны Типичная чувствительность 0,7 А / Вт Низкая емкость: 55 фФ Конфигурация подложки G-S-G с опорными площадками для пайки флип-чипа PD40X1 - Сверхбыстрый фотодиодный чип InGaAs / InP со встроенной задней линзой. Структура фотодиода с нижней подсветкой оптимизирована для одномодовых телекоммуникационных систем PAM-4 (400GBASE-DR4 и 400G-FR4) 56 Гбит / с, микроволновых фотонных линий, РЧ-связи по оптоволокну, а также для тестовых и измерительных приложений. Он предлагает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Интегрированная задняя линза фокусирует падающий световой луч на верхней зоне обнаружения. Это увеличивает диаметр обнаружения задней стороны и обеспечивает простую и эффективную оптическую связь. Ключевые особенности PD40X1: Сверхвысокая скорость Легкое оптическое соединение благодаря встроенной задней линзе Большой диаметр линзы 100 мкм Высокая чувствительность 0,8 A / Вт Низкая емкость: 40 фФ Конфигурация площадки G-S-G с опорными площадками для пайки флип-чипа PD40G1 - Сверхскоростной фотодиодный чип InGaAs / InP, оптимизированный для одномодовых приложений передачи данных и телекоммуникаций со скоростью до 56 Гбод. Фотодиод с верхней подсветкой обеспечивает оптимизированную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн около 1310 нм. Во всем диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм широкополосное просветляющее покрытие обеспечивает низкую отражательную способность и высокие возвратные потери. Ключевые особенности PD40G1: Оптимизирован для длинноволновых одномодовых телекоммуникационных приложений Легкое соединение с большой верхней оптической апертурой Конфигурация подушечки G-S-G с подушечкой большого диаметра 80 мкм Высокая чувствительность: 0,7 A / Вт при 1310 нм Низкая емкость: <100 фФ PD40H1 - Сверхскоростной фотодиодный чип InGaAs / InP, оптимизированный для одномодовых приложений передачи данных и телекоммуникаций со скоростью до 56 Гбод. Фотодиод с верхней подсветкой обеспечивает оптимизированную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн около 1310 нм. Во всем диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм широкополосное просветляющее покрытие обеспечивает низкую отражательную способность и высокие возвратные потери. Ключевые особенности PD40H1: Оптимизирован для длинноволновых одномодовых телекоммуникационных приложений Легкое соединение с большой верхней оптической апертурой Конфигурация подушечки G-S-G с подушечкой большого диаметра 80 мкм Типичная полоса пропускания: 30 ГГц Высокая чувствительность: 0,8 A / Вт при 1310 нм Низкая емкость: <100 фФ PD40Y1 - Сверхбыстрый фотодиодный чип InGaAs / InP со встроенной задней линзой. Структура фотодиода p-i-n с нижней подсветкой оптимизирована для одномодовых телекоммуникационных систем PAM-4 (400GBASE-DR4 и 400G-FR4) 56 Гбит / с, микроволновых фотонных линий, ВЧ-связи по оптоволокну, а также для тестовых и измерительных приложений. Он предлагает отличную чувствительность и высокую скорость отклика в диапазоне длин волн от 1260 до 1620 нм. Интегрированная задняя линза фокусирует падающий световой луч на верхней зоне обнаружения. Это увеличивает диаметр обнаружения задней стороны и обеспечивает простую и эффективную оптическую связь. Ключевые особенности PD40Y1: Сверхвысокая скорость Легкое оптическое соединение благодаря встроенной задней линзе Большой диаметр линзы 100 мкм Высокая чувствительность 0,8 A / Вт Низкая емкость: 65 фФ Конфигурация площадки G-S-G с опорными площадками для пайки флип-чипа Компания Albis предлагает передовые технологии производства InGaAs/GaAs/InP фотодиодов как ключевого элемента в сборках TO-can, TOSA, PLC и других приемных оптических модулях. Используя свой более чем 20-летний опыт работы, специалисты компании Albis предлагают современные, надежные и высококачественные фотодиоды для передачи как цифровой, так и аналоговой информации. АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Albis Optoelectronics на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.