Чип фотодиода Ø1 мм

Общее описание

InGaAs LD-PD на основе InP изготовленный методом MOCVD и технологией планарной диффузии. Чувствительные области продуктов серии фотодиодов TO составляют φ75мкм, φ300мкм, φ500мкм φ1мм, φ 2мм, φ3мм соответственно. Продукты с другой чувствительной областью, формой или стилем корпуса также могут быть предоставлены в соответствии с требованиями пользователей. Ключевые особенности: Высокая чувствительность, передняя подсветка, двухсторонняя конструкция Φ= 1мм, круглое оптическое окно Оптимизирован для обнаружения Machane(CH4) (1654нм), повышая чувствительность при низких температурах АО «ЛЛС» предлагает весь спектр продукции компании LD-PD на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции, полную техническую поддержку, а также поставку образцов.