Tm:YLF - Лазерный кристалл иттрий-литиевого фторида, легированный тулием

Общее описание

Tm:YLF имеет пики поглощения, удобно расположенные для диодной накачки около 792 нм, и он демонстрирует процесс кросс-релаксации, который создает два иона на верхнем лазерном уровне для каждого поглощенного фотона накачки. Лазеры Tm3 +: YLF идеально подходят для использования в качестве источника накачки для лазеров Ho: YAG. Это связано с хорошим перекрытием спектров эмиссии Tm3 +: YLF и Ho3 +: YAG и способности создавать линейно поляризованное излучение. Более того, показатель преломления Tm3 +: YLF уменьшается с температурой, что образует отрицательную тепловую линзу в среде, которая частично компенсируется эффектом положительной линзы из-за выпуклости торца. Характеристики генерационных переходов Кристаллы Длина волны генерации, нм Ширина линии генерации Сечение генерационного перехода, 10-19 см2 Время жизни верхнего лазерного уровня, мкс Интенсивность насыщения Is, кВт/см2 Tm:YLF 3F4 – 3H6 1910 - 0.0235 15600 2.78 1880 - 0.037 15600 1.83 3H4 – 3H5 2350 - - - - Параметры кристалла Tm:YLF фирмы Altechna Атомарная концентрация Tm -% Качество поверхности 10-5 S-D Диаметр апертуры 1x1 – 15x15 мм Плоскостность поверхности <λ/10 @ 632.8 нм АО «ЛЛС» является официальным дистрибьютором компании Altechna на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза, и предлагает наиболее выгодные условия поставки продукции и полную техническую поддержку.